熱處理相關（1類）
在0.01Pa以下的真空狀態下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進行回流（Reflow）的“退火設備（Anneal）”。
檢測設備（1類）
EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設備。
曝光相關（4類）
1.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）。
2.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）的生產設備。
3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設備（Coater Developer）。
4.用于處理晶圓的步進重復式、步進掃描式光刻機設備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數值孔徑得到的數值為45及以下）。（按照筆者的計算，尼康的ArF液浸式曝光設備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設備不在此范圍。）
干法清洗設備、濕法清洗設備（3類）
1.在0.01Pa以下的真空狀態下，除去高分子殘渣、氧化銅膜，形成銅膜的設備。
2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應腔(Multi-chamber)設備。
3.單片式濕法清洗設備（在晶圓表面性質改變后，進行干燥）。
蝕刻（3類）
1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設備。
2.濕法蝕刻設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。
3.為異向性蝕刻設備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時間不足300m秒的高速切換閥的設備。
成膜設備（11類）
1.如下所示的各類成膜設備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。
利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。
利用自下而上（Bottom-up）成膜技術，填充鈷（Co）或者鎢（W）時，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設備。
在同一個腔體（Chamber）內進行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時、利用有機化合物形成鎢（W）膜的設備。
可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態（或者惰性環境）的、含多個腔體的、可處理多個工序的成膜設備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。
利用以下所有工藝形成銅線路的設備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用PVD技術，形成銅（Cu）層膜的工藝。
利用金屬有機化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設備。
在保持晶圓溫度低于500度的同時，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設備。
2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態下(或者惰性環境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設備。
3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設備。
4.“空間原子層沉積設備（僅限于支持與旋轉軸晶圓的設備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關技術手法。
5.可在400度一一650度溫度下成膜的設備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內產生的自由基(Radical)產生化學反應，從而形成薄膜的設備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。
6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設備的掩膜)的設備。
7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設備屬于管控范圍。（1）擁有多個腔體，在多個工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環境）的設備。（2）用于半導體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設計的腔體的設備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設備。
8.可利用等離子技術，形成厚度超過100納米、而且應力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設備。
9.可利用原子層沉積法或者化學氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內氟原子數量低于1019個）的設備。
10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產生間隙，利用等離子形成相對介電常數（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設備。
11.在0.01Pa以下的真空狀態下工作的退火設備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。
根據研究公司TrendForce的數據，未來3年，28nm及以上制程芯片預計將占據全球晶圓代工廠產能的75%至80%。若擴大到45nm及以下節點，將影響幾乎所有國內涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等邏輯晶圓制造商和3D NAND存儲器制造商。
商務部：堅決反對日本半導體制造設備出口管制措施
對此，商務部新聞發言人表示，此舉是對出口管制措施的濫用，是對自由貿易和國際經貿規則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
以下為答記者問全文：
問：
5月23日，日本政府正式出臺半導體制造設備出口管制措施。中方對此有何評論？
答：
我們注意到，日本政府正式出臺針對23種半導體制造設備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿易和國際經貿規則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
在日方措施公開征求意見期間，中國產業界紛紛向日本政府提交評論意見，多家行業協會公開發表聲明反對日方舉措，一些日本行業團體和企業也以各種方式表達了對未來不確定性的擔憂。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應業界合理訴求，將嚴重損害中日兩國企業利益，嚴重損害中日經貿合作關系，破壞全球半導體產業格局，沖擊產業鏈供應鏈安全和穩定。
日方應從維護國際經貿規則及中日經貿合作出發，立即糾正錯誤做法，避免有關舉措阻礙兩國半導體行業正常合作和發展，切實維護全球半導體產業鏈供應鏈穩定。中方將保留采取措施的權利，堅決維護自身合法權益。
該文轉載自半導體風向標，轉載目的在于傳遞信息，并不代表我們贊同文章觀點和對其真實性負責，內容僅供參考。
